半导体技术
Semiconductor Technology
- 主管单位：中华人民共和国工业和信息化部
- 主办单位：中国电子科技集团公司第十三研究所
- 期刊收录： 统计源核心期刊剑桥科学文摘维普收录上海图书馆馆藏Pж(AJ) 文摘杂志(俄)SA 科学文摘(英)北大核心期刊CA 化学文摘(美)万方收录知网收录国家图书馆馆藏CSCD 中国科学引文数据库来源期刊JST 日本科学技术振兴机构数据库(日)SCD期刊目录
- 期刊荣誉： 中国核心期刊遴选数据库全国中文核心期刊中国科技期刊核心期刊中国期刊全文数据库（CJFD）Caj-cd规范获奖期刊
- 主要栏目：
趋势与展望;专题报道;应用长廊;设计与开发;支撑技术;新品推荐。
半导体技术杂志简介
《半导体技术》经新闻出版总署批准，自1976年创刊，国内刊号为13-1109/TN，本刊积极探索、勇于创新，栏目设置及内容节奏经过编排与改进，受到越来越多的读者喜爱。
《半导体技术》以严谨风格，权威著述，在业内深孚众望，享誉中外，对我国半导体事业的发展发挥了积极的作用。
半导体技术杂志投稿
半导体技术杂志投稿须知:
1、《半导体技术》文稿应资料可靠、数据准确、具有创造性、科学性、实用性。应立论新颖、论据充分、数据可靠，文责自负（严禁抄袭），文字要精炼。
2、《半导体技术》姓名在文题下按序排列，排列应在投稿时确定。作者姓名、单位、详细地址及邮政编码务必写清楚，多作者稿署名时须征得其他作者同意，排好先后次序，接录稿通知后不再改动。
3、文章要求在2000-2400字符，格式一般要包括：题目、作者及单位、邮编、内容摘要、关键词、正文、参考文献等。文章标题字符要求在20字以内。
4、文章中的图表应具有典型性，尽量少而精，表格使用三线表；图要使用黑线图，绘出的线条要光滑、流畅、粗细均匀；计量单位请以近期国务院颁布的《中华人民共和国法定计量单位》为准，不得采用非法定计量单位。
5、为缩短刊出周期和减少错误，来稿一律使用word格式，并请详细注明本人详细联系方式。
6、编辑部对来稿有删修权，不同意删修的稿件请在来稿中声明。我刊同时被国内多家学术期刊数据库收录，不同意收录的稿件，请在来稿中声明。
半导体技术投稿地址
- 投稿邮箱：bdtj1339@163.com
- 联系电话：0311-87091339
- 杂志社地址：石家庄179信箱46分箱
半导体技术统计分析
影响因子：指该期刊近两年文献的平均被引用率，即该期刊前两年论文在评价当年每篇论文被引用的平均次数
被引半衰期：衡量期刊老化速度快慢的一种指标，指某一期刊论文在某年被引用的全部次数中，较新的一半被引论文刊载的时间跨度
他引率：期刊被他刊引用的次数占该刊总被引次数的比例用以测度某期刊学术交流的广度、专业面的宽窄以及学科的交叉程度
引用半衰期：指某种期刊在某年中所引用的全部参考文献中较新的一半是在最近多少年时段内刊载的
平均引文数：在给定的时间内，期刊篇均参考文献量，用以测度期刊的平均引文水平，考察期刊吸收信息的能力以及科学交流程度的高低
相关推荐更多
半导体技术参考文献
SiC MOSFET的短路特性
以SiC MOSFET为代表的功率器件的驱动及保护技术长期被国外垄断,国内对SiC MOSFET的驱动保护技术研究较少。SiC MOSFET栅极氧化层薄、短路耐量小,由于高频开关特性,其对回路寄生参数的影响更加敏感,桥臂结构应用时更易因串扰而引起误导通,因此快速检测并可靠关断的短路保护技术显得尤为重要。设计了基于FPGA的数字式SiC MOSFET驱动保护电路,实现...
一种性能指标可配置的SAR ADC的设计与实现
提出了一种分辨率、电源电压等性能指标可配置的逐次逼近寄存器型(SAR)模数转换器(ADC)的设计思想和实现方式。分析了SAR ADC的采样速率、精度、功耗和能量效率等主要性能指标之间的关系,提出了性能参数可配置SAR ADC的设计构想。介绍了性能指标可配置SAR ADC的实现方式,包括分辨率的配置、采样速率的可变以及电源电压的可调等。基于0.18μm CMOS...
基于InGaAs盖革模式APD探测器的主动淬灭电路设计
盖革模式(GM)雪崩光电二极管(APD)探测器具有单光子级探测灵敏度,可广泛用于三维成像和测量测绘等领域。针对InGaAs基GM-APD,提出一种用于自由模式探测的主动淬灭电路。该电路采用电容积分方式将雪崩电流转换为电压信号,利用反相器对其进行检测与提取,同时经淬灭支路将雪崩快速淬灭,一定延时后恢复支路使APD重新进入盖革状态;采用施密特触发器以...
金刚石基GaN HEMT技术发展现状和趋势
采用金刚石衬底可显著提升GaN微波功率器件的散热能力,从而制作尺寸更小、功率更高的金刚石基GaN高电子迁移率晶体管(HEMT)器件。介绍了金刚石基GaN HEMT技术优势。综述了金刚石基GaN HEMT的金刚石衬底生长、金刚石与GaN HEMT层结合、金刚石/GaN界面优化等制造技术的研发现状,并概述了金刚石基GaN微波功率器件的最新研究进展。最后分析了金刚石...
热点词
sicmosfet短路特性fpga驱动保低功耗分辨率可配置电源电压可ingaas光探测器主动淬灭单光金刚石gan功率器件制造技热门评论
一个月内回复，审稿速度非常快，半导体技术杂志编辑和蔼负责，多次沟通很愉快。虽然不是核心，但是杂志质量好，以质取稿，没有学历歧视，良心杂志，值得一投！！
这是一本比较有深度有广度的期刊，一直都有在阅读。今的杂志都是在定的，而且没有发生漏寄的情况，服务态度也蛮不错的。在他们的网站上，还可以查询到详细的订单情况，感觉蛮专业的。而且杂志都有打折，很值得推荐！
投了两篇，都中了，感觉比较好中，不错的期刊，审稿人所提问题很尖锐，编辑很复杂。感觉如果老板的学生以前在这上面发过相关文章的话会比较好中，个人观点。。
杂志都是新的，内容好，包装也很好，内容很丰富，很满意的，谢谢卖家。下次会回购的。
半导体技术速度很快，编辑态度好，四个审稿人，一个拒审，两个很认真，给的意见重复，另一个感觉是外行，凭此意见退稿后我申诉成功，最后修改后录用。感觉文章写的好的话还是容易中的。
半导体技术审稿过程客观公正，速度也很快，编辑认真的程度也超过想象。根据修回意见，继续修改，编辑发回来的修改稿是打印出来直接修改的，各种标点，格式，措辞，摘要错误，都给画出来了。
初审，主编审定等都会安排具体时间，一般都会提前完成，超过了规划时间作者可以电话询问，编辑部也会给出合理的解释。半导体技术这点是非常棒的，值得很多期刊学习。
此期刊审稿过程较快，意见具体，有针对性，最重要的是容许作者对审稿人意见提出异议，期刊允许我们可以和编辑或者审核讨论。非常好的期刊！
看完后受益很多,真的好看。用好这本杂志就能很好的证明知识就是力量。很感谢今看到了这一本书，对我将来自我提高有很大的帮助！
从投稿到接受一共3个月，速度还是比较快的。2个审稿人，总共10多个问题，而且都比较专业，非常感谢审稿人的意见，对文章是个很大的提高。个人感觉，文章还是需要比较充实的内容才容易中的。希望能帮助大家.
常见问题
| Q:论文发表的时候可以一稿多投吗？ |
| A:一稿多投的行为是典型的学术不端的行为，是国内外学术界都明令禁止的行为，原因主要在于涉及到文章版权归属的问题，如果作者的文章已经被某个杂志社录用，或者同时被两家杂志社录用，就会涉及到版权纠纷，作为杂志社都会保护本社的合法权益，到这时作者就会比较麻烦，吃官司都是小事儿了，被打入黑名单降级降职影响可就太大了。 |
| Q:职称论文发表对时间有限制吗？ |
| A:职称论文发表并没有明确规定截止时间，需要作者结合自己所在地区的具体规定自己安排发表时间，一般职称评审，各地区都会明确规定申报材料的最后期限和截止日期，我们结合这个日期来考虑何时发表文章就可以，大部分地区职称评审都集中在每年的8-10月之间，有的地区要求7月中旬开始交材料，最晚8月底之前，有的则是要求8月中旬交，还有部分地区要求截止时间为申报时间上年的12月31日，所以，各个地区的具体要求并不同，申报者需要在提交材料前确保自己的文章已经见刊并且被相应的数据库检索即可。 |
| Q:网上发表论文如何防骗？可靠网站与可疑网站如何区分？ |
| A:由于发表论文的需求远远多于杂志版面的供应，再加上众所周知的审稿难!审稿慢!选择论文发表网站发表表论文确实能解决以上问题。卖方市场的出现加之发表论文的刚性需求，就导致出现先付款后发表的现状。论文发表网站正规与否是通过网站从始至终所提供服务体现出来的，任何交易只要存在时间差都会有风险，但这个风险是可以通过您的智慧来避免的。因为不是所有论文网站都是骗子，你要做的就是过滤掉没保障的网站，选择可靠的论文发表网站! |
| Q:一般期刊需要提前多久准备？ |
| A:省级、国家级期刊建议至少提前6个月准备。一般来讲，杂志社为了确保每期杂志正常出刊，都会提前将当期之后1-3个月的稿件提前安排好，而一些创刊较早，认可度更高的热门期刊，来稿量较大，发表周期可能就会更久。提前准备，意味着杂志的可选择性更多。 |
| Q:核心期刊需要提前多久准备？ |
| A:核心期刊建议至少提前12个月准备，核心期刊正常的审稿周期为1-3个月，且审核严格，退稿、返修几率更大，这意味着在流程上耗费的时间更久，且核心期刊版面有限，投稿竞争更加激烈，即使被录用，排刊也比普通期刊晚很多，因此需要更早准备。 |